二维电子气第二朗道能级中的有限温度行为
强关联电子
2018-06-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在GaAs/AlGaAs中电子气第二朗道能级处ν=2+3/5、2+3/7、2+4/9、2+5/9、2+5/7和2+5/8处磁阻弱局域极小值的报道，留下了这些填充因子处存在分数量子霍尔态的可能性。在一个高质量样品中，我们发现磁阻在这些感兴趣的填充因子附近表现出奇特特征。然而，这些特征不能与分数量子霍尔态相关联；它们源于电子气泡相的磁阻指纹。我们只发现两个例外：在ν=2+2/7和2+5/7处，有证据表明在中等温度存在初生分数量子霍尔态。随着温度降低，这些分数量子霍尔态因与气泡相的相竞争而崩溃。
引用
@article{arxiv.1806.09753,
title = {Finite Temperature Behavior in the Second Landau Level of the Two-dimensional Electron Gas},
author = {V. Shingla and E. Kleinbaum and A. Kumar and L. N. Pfeiffer and K. W. West and G. A. Csathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.09753},
year = {2018}
}