高朗道能级中多电子气泡的稳定性
强关联电子
2021-02-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在高迁移率GaAs/AlGaAs样品中研究了与朗道能级中的多电子气泡相。我们发现，不论朗道能级指标如何，多电子气泡区的纵向磁阻随温度变化的曲线均呈现尖锐峰。我们将这些峰归因于气泡相的热涨落畴与在气泡相起始处形成的均匀非关联电子液体之间增强的散射。在朗道能级内，三电子与二电子气泡的起始温度相对于填充因子呈线性趋势；三电子气泡的起始温度系统地高于二电子气泡。此外，跨越与朗道能级的二电子气泡相的起始温度相近，但存在偏移。该偏移以及朗道能级中三电子气泡的主导性质揭示了电子-电子相互作用的短程部分在气泡形成中的作用。
引用
@article{arxiv.2102.11368,
title = {Stability of multielectron bubbles in high Landau levels},
author = {Dohyung Ro and S. A. Myers and N. Deng and J. D. Watson and M. J. Manfra and L. N Pfeiffer and K. W. West and G. A. Csáthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.11368},
year = {2021}
}