交叉电场和磁场中二维电子的非线性电阻
介观与纳米尺度物理
2009-07-20 v2
摘要
置于强磁场中的二维(2D)电子的纵向电阻率因外加电场而显著降低，这一效应在高电子密度的GaAs量子阱中于宽磁场和温度范围内进行了研究。数据与理论吻合良好，该理论将电阻率的强非线性视为二维电子非均匀谱扩散的结果。非弹性过程限制了扩散。与理论比较得出了二维电子的非弹性散射时间。在重叠朗道能级的温度范围T=2-10(K)内，非弹性散射率与T^2成正比，表明电子-电子散射对非弹性弛豫起主导作用。在强磁场中，非线性电阻率表现出标度行为，指示了良好分离朗道能级的电子加热特定机制。在此机制下，非弹性散射率与T^3成正比，表明电子-声子散射是非弹性弛豫的主要机制。
引用
@article{arxiv.0810.3713,
title = {Nonlinear resistance of 2D electrons in crossed electric and magnetic fields},
author = {Jing Qiao Zhang and Sergey Vitkalov and A. A. Bykov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3713},
year = {2009}
}
备注
Rewritten introduction, enhanced presentation, 3 figures and references added. 16 pages, 11 figures