Si-MOSFET 中 2D 电子的洛伦兹系数与电子-电子相互作用

最近的硅 MOSFET 实验表明，洛伦兹系数与施加于小角度于平面上的磁场无关。下面，认为自旋上自旋下载流子之间的散射是解释实验观察的主要原因。与两种能带模型的比较为 2D 稀疏电子系统中电子-电子散射时间 $\tau_{ee}$ 提供上限，作为电子密度 $n_s$ 的函数。散射时间 $\tau_{ee}$ 随 $n_s$ 逐渐增大，当 $n_s>4 \times 10 ^{11}$ cm$^{-2}$ 时，显著大于传输散射时间 $\tau_p$。发现 $1.22 \times 10 ^{11} <n_s<3 \times 10 ^{11}$ cm$^{-2}$ 区域存在强电子-电子散射，该区域接近显现金属-绝缘体转变。