平行磁场下稀疏二维电子体的洛伦兹系数
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
在小角度施加磁场且磁场平行于低密度硅 MOSFET 中电子的二维平面时的测量表明，洛伦兹系数在从 H=0 到 H>H_{sat}（纵向电阻饱和且电子已完全自旋极化的场）期间保持不变。这表明自旋上和自旋下电子的迁移率在所有磁场下保持可比，且暗示自旋上和自旋下电子态之间存在强烈混合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008456,
title = {Hall Coefficient of a Dilute 2D Electron System in Parallel Magnetic Field},
author = {S. A. Vitkalov and H. Zheng and K. M. Mertes and M. P. Sarachik and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008456},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures