AlAs 二维电子的磁场诱导自旋极化
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
面内磁场中的二维 (2D) 电子在高于场 B_P 时变得完全自旋极化，我们可以通过面内磁阻来确定 B_P。我们在调制掺杂 AlAs 电子系统中进行了此类测量，发现场 B_P 随 2D 电子密度近似线性增加。这些结果表明，乘积 |g*|m*（其中 g* 是有效 g 因子，m* 是有效质量）是一个基本上与密度无关的常数。虽然推导出的 |g*|m* 相对于其能带值增强了约 4 倍，但我们没有看到它在 2D 密度趋于零时发散的迹象。这些观察结果与在 Si-MOSFET 中获得的结果不一致，但在定性上证实了对 2D GaAs 载流子的自旋极化研究。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208437,
title = {Magnetic Field Induced Spin Polarization of AlAs Two-dimensional Electrons},
author = {E. P. De Poortere and E. Tutuc and Y. P. Shkolnikov and K. Vakili and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208437},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures