AlAs 量子阱中二维电子的反常自旋劈裂
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们通过倾斜磁场中的样品并监测磁阻振荡的演变，测量了调制掺杂 AlAs 量子阱中高迁移率二维电子的有效 Lande g 因子。数据表明 |g| = 9.0，这比报道的体值 1.9 大得多。令人惊讶的是，在大范围的磁场和朗道能级填充因子下，增强的 g 因子值似乎是恒定的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9808158,
title = {Anomalous spin-splitting of two-dimensional electrons in an AlAs Quantum Well},
author = {S. J. Papadakis and E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9808158},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures