调节不同阱宽 GaAs 量子点和量子阱中电学评估的电子 Lande g 因子
介观与纳米尺度物理
2014-12-22 v1
摘要
我们评估了由不同阱宽的 GaAs 量子阱 (QW) 结构制造的量子点 (QDs) 中电子的 Lande g 因子。我们首先通过电子自旋共振的电阻检测确定量子阱的 Lande 电子 g 因子，并将其与从磁输运分析中确定的增强电子 g 因子进行比较。接下来，我们利用这些量子阱形成横向定义的量子点，并通过分析量子点内的共隧穿和 Kondo 效应提取电子 g 因子。我们得出结论，量子点的 Lande 电子 g 因子主要由量子阱的电子 g 因子决定，这表明阱宽是进行 g 因子工程化量子点设计的理想参数。
引用
@article{arxiv.1412.6260,
title = {Tuning the electrically evaluated electron Lande g factor in GaAs quantum dots and quantum wells of different well widths},
author = {G. Allison and T. Fujita and K. Morimoto and S. Teraoka and M. Larsson and H. Kiyama and A. Oiwa and S. Haffouz and D. G. Austing and A. Ludwig and A. D. Wieck and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.6260},
year = {2014}
}