半导体量子点中的朗德 g 因子和轨道动量淬灭
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们展示了自组装 III-V 族量子点中的电子和空穴朗德 g 因子具有丰富的结构，介于顺磁原子杂质和体半导体所预期的结构之间。应变、量子点几何形状和限制能显著改变了构成量子点和势垒的半导体材料的有效 g 因子，但这些效应不足以解释我们的结果。我们发现，量子点电子态的量子化进一步淬灭了量子点态的轨道角动量，将电子 g 因子推向 2，即使量子点的所有半导体组分都具有负的 g 因子。这导致了量子点电子 g 因子的趋势与从量子点和势垒材料的有效 g 因子预期的趋势相反。电子和空穴的 g 因子都强烈依赖于磁场方向；InAs/GaAs 量子点的空穴 g 因子沿生长方向具有大的正值，而在面内具有小的负值。量子点的近似形状可以通过测量这种 g 因子不对称性来确定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410678,
title = {Lande g factors and orbital momentum quenching in semiconductor quantum dots},
author = {Craig E. Pryor and Michael E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410678},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 5 figs