半导体纳米晶中电子、空穴与激子的有效g因子

我们回顾现有并给出不同形状与对称性半导体纳米晶中电子、空穴和激子有效$g$因子的$\bf kp$计算新结果。我们提出一种简单而准确的方法，在八带Kane模型内计算裸纳米晶中电子$g$因子随尺寸的变化。利用Luttinger哈密顿量的球近似，我们找到了具有球形、轴对称和立方对称形状的半导体纳米结构中空穴$g$因子对轻、重空穴有效质量比的依赖关系。我们表明，在立方和椭球纳米晶中，四重简并空穴态的非等距塞曼分裂可能出现。我们给出了基于II-VI和III-V半导体的纳米结构中计算的空穴$g$因子对不同Luttinger参数集的比较，并分析了相对于体值对$g$因子重整化的主要贡献效应。我们讨论了在分析实验数据时应考虑的空穴与激子$g$因子定义的不同方法，并将我们的$g$因子计算结果与文献中可用的半导体球形纳米晶和薄纳米片的实验数据进行了比较。