关于量子点中可调空穴 g 因子的本质
介观与纳米尺度物理
2013-03-11 v1
摘要
量子点中电可调 g 因子在量子计算和自旋电子学应用中极具价值。我们报道了当沿生长方向对 SiGe 纳米晶施加电场时，其空穴 g 因子的巨大调制效应。我们推导出了 g 因子的一个贡献项，该项源于磁场的轨道效应，该效应通过改变重空穴与轻空穴之间的混合，打破了纳米晶中的 Kramers 简并。我们表明，施加电场时发生的重空穴与轻空穴波函数之间的相对位移会影响混合强度，并导致 g 因子出现强烈的非单调调制。尽管自 20 世纪 50 年代末以来对 g 因子进行了大量研究，但这种 g 因子控制机制在文献中很大程度上被忽视了。
引用
@article{arxiv.1208.0476,
title = {On the nature of tunable hole g-factors in quantum dots},
author = {N. Ares and V. N. Golovach and G. Katsaros and M. Stoffel and F. Fournel and L. I. Glazman and O. G. Schmidt and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0476},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 6 figures