InAs 纳米线量子点中 g 因子的巨大涨落与栅极控制
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2
摘要
我们研究了基于 InAs 纳米线的量子点中分立电子态的 g 因子。g 值由自旋 1/2-Kondo 效应引起的零偏压异常现象的磁场分裂确定。与先前基于 2DEG 量子点的研究不同，相邻电子态的 g 因子显示出惊人的大涨落：g 可以在 2 到 18 之间变化。此外，还展示了 g 因子的电栅极可调性。
引用
@article{arxiv.0808.1492,
title = {Giant fluctuations and gate control of the g-factor in InAs Nanowire Quantum Dots},
author = {S. Csonka and L. Hofstetter and F. Freitag and S. Oberholzer and T. S. Jespersen and M. Aagesen and J. Nygard and C. Schonenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1492},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 3 figures