GaAs/AlGaAs量子阱中电子g因子的普适行为
光学
2009-11-13 v1
摘要
通过基于时间分辨Kerr旋转技术的自旋拍频光谱，测量了GaAs/Al_xGa_{1-x}As量子阱中导带电子的塞曼分裂和g因子的潜在值。实验数据与理论预测吻合良好。该模型准确解释了由强量子限制导致的GaAs导带底以上大的电子能量。在跟踪的光学跃迁能量E从1.52到2.0 eV范围内，沿生长轴的电子g因子紧密遵循普适依赖关系g_||(E)= -0.445 + 3.38(E-1.519)-2.21(E-1.519)^2（其中E以eV为单位）；这种普适性也涵盖了Al_xGa_{1-x}As合金。面内g因子分量明显偏离普适曲线，偏离程度由结构各向异性控制。
引用
@article{arxiv.physics/0610216,
title = {Universal behavior of the electron g-factor in GaAs/AlGaAs quantum wells},
author = {I. A. Yugova and A. Greilich and D. R. Yakovlev and A. A. Kiselev and M. Bayer and V. V. Petrov and Yu. K. Dolgikh and D. Reuter and A. D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0610216},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 6 figures