HgTe 量子阱中电子面内 g 因子的各向异性
介观与纳米尺度物理
2020-03-04 v1
摘要
报道了在导电电子型、具有正常和反演能量谱的 (013)-HgTe/HgCdTe 量子阱（QWs）中舒布尼科夫-德哈斯（SdH）效应的实验研究结果。对相对于量子阱平面和晶轴不同磁场取向测量的 SdH 振荡的综合分析，使我们能够研究塞曼效应的各向异性。对于反演谱的量子阱，已表明自旋分裂与轨道分裂之比不仅强烈依赖于磁场相对于量子阱平面的取向，还依赖于面内磁场分量相对于位于量子阱平面内的晶轴的取向，这意味着面内 g 因子具有很强的各向异性。在具有正常谱的量子阱中，该比值强烈依赖于磁场与量子阱平面法线之间的夹角，并表现出非常微弱的面内各向异性。为解释数据，在四带 \emph{kP} 模型框架内计算了倾斜磁场中的朗道能级。结果表明，只有考虑界面反演不对称才能定量描述实验数据。
引用
@article{arxiv.1909.07611,
title = {Aniotropy of in-plane g-factor of electrons in HgTe quantum wells},
author = {G. M. Minkov and V. Ya. Aleshkin and O. E. Rut and A. A. Sherstobitov and S. A. Dvoretski and N. N. Mikhailov and A. V. Germanenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.07611},
year = {2020}
}