倾斜磁场下Ge/SiGe量子阱中的强输运各向异性
介观与纳米尺度物理
2015-11-18 v1
摘要
我们报道了Ge/SiGe量子阱中二维空穴气的强输运各向异性，该各向异性仅在同时存在垂直和面内磁场时出现。沿面内场方向和垂直于面内场方向测得的电阻之比可超过 。该各向异性出现在很宽的填充因子范围内，并主要由倾斜角度决定。无面内场时缺乏显著各向异性、易于调控、以及持续至更高温度和填充因子，这些特征使该各向异性有别于GaAs/AlGaAs中的向列相。
引用
@article{arxiv.1511.05167,
title = {Strong Transport Anisotropy in a Ge/SiGe Quantum Well in Tilted Magnetic Fields},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and C. Morrison and M. Myronov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05167},
year = {2015}
}