锗中具强g因子各向异性的弹道一维空穴
介观与纳米尺度物理
2018-08-29 v1
摘要
我们报道了在应变 SiGe/Ge/SiGe 量子阱中栅极定义的一维量子线内弹道空穴输运的实验证据。在零磁场下，我们观察到整数倍 2e^2/h 的电导平台。在有限磁场下，这些平台因塞曼效应而分裂，揭示出高度各向异性的 g 因子：在量子阱平面内绝对值小于 1，而面外则超过 10。该 g 因子各向异性与传播价带态的重空穴特性一致，符合沿生长方向的主导限制。值得注意的是，我们在长达 600 nm 的器件沟道中观察到量子化弹道电导。这些发现标志着在实现用于量子自旋电子学应用的新型器件方面迈出了重要一步。
引用
@article{arxiv.1804.04674,
title = {Ballistic one-dimensional holes with strong g-factor anisotropy in germanium},
author = {R. Mizokuchi and R. Maurand and F. Vigneau and M. Myronov and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04674},
year = {2018}
}