利用量子点接触表征GaAs重空穴的自旋轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2014-08-01 v2
摘要
我们展示了在嵌入GaAs二维空穴气的高质量量子点接触中进行的输运实验。强自旋轨道相互作用导致奇特的输运现象，包括先前观察到的各向异性塞曼分裂和能级依赖的有效g因子。这里我们发现了额外的效应，即自旋分裂能级的交叉和反交叉取决于子带指数和磁场方向。我们的实验观察在重空穴有效自旋轨道哈密顿量中得到调和，其中出现了动量的三次和二次项。自旋轨道分量对量子计算应用非常重要，我们表征了其大小和自旋结构。根据我们的结果，我们解释了面内场中能级依赖的有效g因子。通过倾斜磁场分析，我们表明QPC的面外g因子饱和在预测的体材料值7.2附近。
引用
@article{arxiv.1405.2981,
title = {Characterization of spin-orbit interactions of GaAs heavy holes using a quantum point contact},
author = {Fabrizio Nichele and Stefano Chesi and Szymon Hennel and Angela Wittmann and Christian Gerl and Werner Wegscheider and Daniel Loss and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2981},
year = {2014}
}