Ga0.25In0.75As 量子点接触中增强的 Zeeman 分裂
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
外加磁场诱导的 Zeeman 分裂强度是实现介观器件中自旋分辨输运的重要因素。我们测量了刻蚀在 Ga0.25In0.75As 量子阱中的量子点接触的 Zeeman 分裂，磁场方向平行于输运方向。我们观察到 Lande g 因子从第三子带的 |g*|=3.8 +/- 0.2 增强到第一子带的 |g*|=5.8 +/- 0.6，比 GaAs 中大六倍。我们报道了超过 10 meV 的子带间距，这有助于在更高温度下实现量子输运。
引用
@article{arxiv.0805.0504,
title = {Enhanced Zeeman splitting in Ga0.25In0.75As quantum point contacts},
author = {T. P. Martin and A. Szorkovszky and A. P. Micolich and A. R. Hamilton and C. A. Marlow and H. Linke and R. P. Taylor and L. Samuelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.0504},
year = {2009}
}
备注
[Version 2] Revtex4, 11 pages, 3 figures, accepted for publication in Applied Physics Letters