II-VI 族磁性共振隧穿器件中的自旋极化输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们研究了电子通过含有稀磁杂质的 II-VI 族半导体共振隧穿结构的输运过程。由于传导电子与杂质之间的交换相互作用，在中等偏低磁场下会产生巨大的 Zeeman 分裂。因此，当量子阱被磁性掺杂时，电流 - 电压特性显示出两个峰，分别对应于每个自旋通道的输运。这种行为已在实验中被观测到，并可用简单的隧穿模型复现。该模型从而允许分析其他构型。首先，我们进一步增加磁场，这导致从引线注入的电子电流产生自旋极化，从而引起电流幅值的相对变化。我们证明了发射极中的自旋极化可以通过这种变化来确定。此外，在磁性掺杂注入极的情况下，我们的模型显示随着外场增加，峰值幅值显著增大，且共振向更高电压移动。我们发现该效应源于巨大 Zeeman 分裂、三维入射分布和宽共振线宽的共同作用。
引用
@article{arxiv.0705.0237,
title = {Spin-polarized transport in II-VI magnetic resonant tunneling devices},
author = {David Sanchez and Charles Gould and Georg Schmidt and Laurens W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.0237},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures