通过直径 6 微米双势垒共振隧穿二极管的自旋依赖共振隧穿
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v3
摘要
基于顺磁性 Zn1-x-yMnyCdxSe 系统制备了柱状直径低至约 6 微米的垂直共振隧穿二极管 (RTD)。该二极管在 4.2K 温度下通过量子阱的电子子能带表现出高质量的共振隧穿特性，除主峰外还可观察到清晰的声子复现峰。两个峰在外加磁场中均显示出巨大的 Zeeman 分裂。采用自洽实时 Green 函数方法对电流 - 电压特性进行了模拟，结果与测量值吻合良好。
引用
@article{arxiv.0705.1123,
title = {Spin dependent resonant tunneling through 6 micron diameter double barrier resonant tunneling diode},
author = {Z. L. Fang and P. Wu and N. Kundtz and A. M. Chang and X. Y. Liu and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.1123},
year = {2009}
}
备注
3 pages with 3 pictures, submitted to Appl. Phys. Lett