耦合量子阱中的共振隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 材料科学
摘要
理论上研究了一种三势垒共振隧穿结构，其中两个量子阱由稀磁半导体材料（ZnMnSe）形成，其导带具有巨塞曼劈裂。对该结构的自洽数值模拟预测，在共振偏压区域存在巨磁电流，并且在相当宽的施加偏压范围内具有显著的电流自旋极化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606531,
title = {Resonant Tunneling Magneto Resistance in Coupled Quantum Wells},
author = {Christian Ertler and Jaroslav Fabian},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606531},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures