III-V/II-VI异价双量子阱中的共振自旋相关电子耦合
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们报道了包含GaAs/AlGaAs/ZnSe/ZnCdMnSe双量子阱(QW)的III-V/II-VI混合结构的设计、制备和磁光研究。结构设计允许将量子阱能级调谐到共振,从而促进电子波函数从稀磁半导体ZnCdMnSe量子阱穿透到非磁性GaAs量子阱,反之亦然。磁光致发光研究表明能级反交叉和强混合导致电子有效g因子的剧烈重整化,与能级计算结果完全一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411409,
title = {Resonant spin-dependent electron coupling in a III-V/II-VI heterovalent double quantum well},
author = {A. A. Toropov and I. V. Sedova and S. V. Sorokin and Ya. V. Terent'ev and E. L. Ivchenko and S. V. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411409},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 Postscript figures, uses revtex4