层状锌盆结构半导体的电子结构与电子自旋退相干
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
描述了层状锌盆结构半导体的电子结构计算方法，采用受限基集方法，这种方法自然且非扰动地容纳了晶体反演不对称性和立方各向异性。将这些计算应用于计算量阱中由于预cession性退相干导致的电子自旋退相干时间 和 。扰动性计算发现，自旋相干时间对迁移率、量化能和温度的依赖性质有显著不同。对于 GaAs/AlGaAs、InGaAs/InP 和 GaSb/AlSb 生长的量阱，计算结果与实验结果获得了定量一致。计算了 CdZnSe/ZnSe II-VI 量阱的电子自旋相干时间，还 presented了适用于与自旋-LED 结构比较的 InGaAs/GaAs 量阱的计算。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406201,
title = {Electronic structures and electron spin decoherence in (001)-grown layered zincblende semiconductors},
author = {Wayne H. Lau and J. T. Olesberg and Michael E. Flatte'},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406201},
year = {2007}
}
备注
32 pages, 37 figures