掺杂 ZnSe/(Zn,Cd)Se (110) 量子阱的制备与表征：一种新的自旋相干性研究体系
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们描述了在 (110) GaAs 基片上生长掺杂 ZnSe/(Zn,Cd)Se 量子阱的方法。与在 (001) GaAs 上生长 ZnSe 基质量子结构的已知程序不同，我们发现制作 (110) GaAs 上的量子阱结构需要显著不同的生长条件和样品结构。我们使用磁性输运测量确认这些样品中二维电子气的形成，然后使用时间分辨的法拉第旋转测量 transverse 电子自旋 relax 时间。在与已知自旋 relax 机制相关的预期不同，我们发现这些 (110) 取向样品与 (100) 取向对照样品之间的自旋寿命几乎没有显著差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505016,
title = {Fabrication and Characterization of Modulation-Doped ZnSe/(Zn,Cd)Se (110) Quantum Wells: A New System for Spin Coherence Studies},
author = {K. C. Ku and S. H. Chun. W. H. Wang and W. Fadgen and D. A. Issadore and N. Samarth and R. J. Epstein and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505016},
year = {2009}
}
备注
To appear in Journal of Superconductivity (Proceedings of 3rd Conference on Physics and Applications of Spin-dependent Phenomena in Semiconductors)