(In,Ga)As/GaAs (110)量子阱中各向异性电子自旋寿命
材料科学
2007-06-13 v2
摘要
通过时间分辨法拉第旋转和时间分辨透射，研究了不同宽度和高度的应变非掺杂(In,Ga)As/GaAs (110)量子阱中的各向异性电子自旋寿命，并与(001)取向进行了比较。根据自旋进动的抑制，计算了面内与面外自旋寿命之比。虽然该比值随In浓度的增加而增加，与理论一致，但对于最宽的量子阱，以自旋弛豫时间表示时，观察到了高达480的惊人各向异性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701104,
title = {Anisotropic Electron Spin Lifetime in (In,Ga)As/GaAs (110) Quantum Wells},
author = {L. Schreiber and D. Duda and B. Beschoten and G. Güntherodt and H. -P. Schönherr and J. Herfort},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701104},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, revised