GaAs 双量子点中自旋-轨道相互作用的各向异性与抑制
介观与纳米尺度物理
2017-11-01 v2
摘要
通过时间分辨电荷探测，在 GaAs 基双量子点中测量了自旋翻转隧穿率。这些过程发生在 Pauli 自旋阻塞机制下，此时双量子点中有两个电子占据。本文提出了调节自旋翻转隧穿率的方法，一方面这能够用于测量 Rashba 和 Dresselhaus 自旋-轨道系数，另一方面也使得以高开关比开启和关闭 SOI 效应成为可能。该调节是通过选择隧穿方向相对于晶轴的对齐方式，以及选择外部磁场相对于自旋-轨道磁场的取向来实现的。在接近 1 kHz 的隧穿率下，实现了 10 s 的自旋寿命。
引用
@article{arxiv.1612.06199,
title = {Anisotropy and suppression of spin--orbit interaction in a GaAs double quantum dot},
author = {Andrea Hofmann and Ville F. Maisi and Tobias Krähenmann and Christian Reichl and Werner Wegscheider and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.06199},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures, accepted for publication in PRL