GaAs 双量子点中空穴的各向异性泡利自旋阻塞
介观与纳米尺度物理
2016-12-06 v1
摘要
电学定义的半导体量子点是用于自旋操控和量子信息处理的极具吸引力的系统。Si 和 GaAs 中的重空穴是全电自旋操控的有力候选者，因为它们具有弱超精细相互作用和强自旋轨道相互作用。然而，直到最近才有可能在这些系统中制造出稳定的量子点，这主要是由于器件制造和稳定性方面的困难。在此，我们展示了在 异质结构中门定义双量子点中空穴的电学输运测量。我们观察到清晰的泡利自旋阻塞，并证明外部磁场对该自旋阻塞的解除具有高度各向异性。在强自旋轨道耦合存在的情况下，双量子点重空穴输运的数值计算与实验结果定量吻合，并表明所观察到的各向异性可以由各向异性有效空穴 g 因子和表面 Dresselhaus 自旋轨道相互作用共同解释。
引用
@article{arxiv.1612.01062,
title = {Anisotropic Pauli Spin Blockade of Holes in a GaAs Double Quantum Dot},
author = {Daisy Q. Wang and Oleh Klochan and Jo-Tzu Hung and Dimitrie Culcer and Ian Farrer and David A. Ritchie and Alexander R. Hamilton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.01062},
year = {2016}
}
备注
This document is the unedited Author's version of a Submitted Work that was subsequently accepted for publication in Nano Letters, copyright \copyright American Chemical Society after peer review. To access the final edited and published work see http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.nanolett.6b03752, Nano Letters, published online 24 Nov, 2016