硅双量子点中重空穴的 Pauli 自旋阻塞

R. Li; F. E. Hudson; A. S. Dzurak; A. R. Hamilton

doi:10.1021/acs.nanolett.5b02561

硅双量子点中重空穴的 Pauli 自旋阻塞

介观与纳米尺度物理 2023-07-19 v1

作者: R. Li , F. E. Hudson , A. S. Dzurak , A. R. Hamilton

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

在本工作中，我们研究了平面硅金属-氧化物-半导体基双量子点中的空穴输运。我们在少空穴区演示了 Pauli 自旋阻塞，并将自旋弛豫引起的漏电流绘制为量子点间能级间距和磁场的函数图。通过改变量子点间的隧穿耦合，我们能够识别出不同的主导自旋弛豫机制。施加垂直于平面的强磁场会导致单态-三态能级交叉回避，由此可得重空穴 g 因子 $\sim$ 0.93，以及自旋-轨道相互作用强度 $\sim$ 110 $\mu$ eV。所展示的重空穴强自旋-轨道相互作用，有望仅利用电场实现快速局域自旋操控，这对量子信息处理具有重要意义。

关键词

Pauli 自旋阻塞重空穴硅双量子点自旋弛豫自旋-轨道相互作用

引用

@article{arxiv.1509.00553,
  title  = {Pauli Spin Blockade of Heavy Holes in a Silicon Double Quantum Dot},
  author = {R. Li and F. E. Hudson and A. S. Dzurak and A. R. Hamilton},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00553},
  year   = {2023}
}

备注

15 pages, 4 figures

硅双量子点中重空穴的 Pauli 自旋阻塞

摘要

关键词

引用

备注

相关论文