低泄漏点处空穴单态-三重态自旋量子比特的全电学控制
介观与纳米尺度物理
2021-12-01 v1 量子物理
摘要
我们研究了在任意方向磁场中，受限于双量子点内的重空穴的自旋轨道相互作用效应。由于不同自旋的两个空穴态不仅通过自旋轨道相互作用耦合，还受到与位置相关的各向异性 张量效应的额外耦合，从而产生了丰富的物理现象。研究表明，这些效应可能相互抵消，使得在特定失谐和磁场倾斜角下耦合消失。这一特性可用于单态-三重态量子比特中以避免泄漏错误并实现电学自旋轨道开关，从而提出了按需定制双轴控制的可能性。此外，我们研究了弱磁场下具有强自旋轨道相互作用的系统。通过对主导哈密顿量的精确对角化，我们发现可以选择磁场使得对于实际系统参数，量子比特基态仅在逻辑子空间内混合，从而减少泄漏错误并提供对量子比特的可靠控制。
引用
@article{arxiv.2107.12622,
title = {All-electrical control of hole singlet-triplet spin qubits at low leakage points},
author = {Philipp M. Mutter and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.12622},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 7 figures