栅控GaAs量子阱中二维电子气的自旋寿命增强
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1
摘要
利用共振超快双色克尔旋转光谱研究了20 nm宽调制掺杂GaAs单量子阱中的激子、trion和电子自旋动力学。激子和trion由共振探测脉冲选择性探测，而其相对光谱权重通过调节栅电压来控制，该栅电压调谐载流子密度。调谐载流子密度显著影响二维电子气的自旋衰减时间。在量子阱中激子与trion共存的中间载流子浓度处，自旋衰减时间可增强至3倍。此外，我们探索了通过载流子密度调谐电子气g因子的能力。
引用
@article{arxiv.1605.01771,
title = {Enhanced spin lifetimes in a two dimensional electron gas in a gate-controlled GaAs quantum well},
author = {Sergiu Anghel and Akshay Singh and Felix Passmann and Hikaru Iwata and Nick Moore and Go Yusa and Xiaoqin Li and Markus Betz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.01771},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures