GaAs/AlGaAs 量子阱中空穴的自旋相干性
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
利用皮秒泵浦 - 探测克尔旋转技术并结合面内磁场，研究了具有稀释空穴气体的 p 型掺杂 GaAs/(Al,Ga)As 量子阱中的载流子自旋相干性。对于带正电激子的共振光激发，自旋进动显示出两种类型的振荡。快速振荡的电子自旋拍频随带正电激子的辐射寿命（50 ps）而衰减。空穴则表现出长寿命的自旋相干性，其退相干时间长达 650 ps。自旋退相干时间以及面内空穴 g 因子均显示出强烈的温度依赖性，突显了低温下空穴局域化的重要性。
引用
@article{arxiv.0704.0592,
title = {Spin coherence of holes in GaAs/AlGaAs quantum wells},
author = {M. Syperek and D. R. Yakovlev and A. Greilich and J. Misiewicz and M. Bayer and D. Reuter and A. D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0592},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures in PostScript format