回旋效应对二维电子相干自旋进动的影响

M. Griesbeck; M. M. Glazov; T. Korn; E. Ya. Sherman; D. Waller; C. Reichl; D. Schuh; W. Wegscheider; C. Schüller

doi:10.1103/PhysRevB.80.241314

回旋效应对二维电子相干自旋进动的影响

介观与纳米尺度物理 2011-07-01 v1 材料科学

作者: M. Griesbeck , M. M. Glazov , T. Korn , E. Ya. Sherman , D. Waller , C. Reichl , D. Schuh , W. Wegscheider , C. Schüller

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们通过低温时间分辨法拉第旋转技术，研究了沿 $[001]$ 和 $[110]$ 方向生长的GaAs/AlGaAs量子阱中高迁移率二维电子的自旋动力学。在无外磁场的(001)生长结构测量中，我们观察到电子自旋极化围绕有效自旋轨道场的相干振荡。在垂直于样品平面施加的非量子化磁场中，电子的回旋运动使有效自旋轨道场发生旋转。在我们的实验中，这种旋转导致了自旋极化围绕非零值的快速振荡以及自旋退相时间的显著增加。由于(110)生长结构中有效自旋轨道场的对称性不同，这两个效应在该结构中不存在。测量结果与我们的理论模型高度吻合。

关键词

回旋效应自旋进动二维电子自旋轨道场法拉第旋转自旋退相时间 GaAs/AlGaAs量子阱

引用

@article{arxiv.0910.2847,
  title  = {Cyclotron effect on coherent spin precession of two-dimensional electrons},
  author = {M. Griesbeck and M. M. Glazov and T. Korn and E. Ya. Sherman and D. Waller and C. Reichl and D. Schuh and W. Wegscheider and C. Schüller},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2847},
  year   = {2011}
}

备注

4 pages, 3 figures

回旋效应对二维电子相干自旋进动的影响

摘要

关键词

引用

备注

相关论文