GaAs 量子阱中面内光激发下的电子自旋取向
介观与纳米尺度物理
2012-11-19 v2
摘要
我们研究了 GaAs/AlGaAs 量子阱中电子自旋的光学取向，分别针对生长方向激发和面内激发。时间和偏振分辨的光致发光激发测量表明，对于重空穴 - 导带跃迁的共振激发，面内激发的电子自旋极化度可忽略不计，而生长方向激发的极化度接近 100%。对于轻空穴 - 导带跃迁的共振激发，激发的电子自旋极化方向对于面内激发（在生长方向）与激发到连续态时的方向相同（相反）。实验结果可以通过一个精确的多带激子吸收理论得到很好的解释，该理论充分考虑了电子 - 空穴库仑关联以及重空穴 - 轻空穴耦合。
引用
@article{arxiv.1202.2040,
title = {Electron spin orientation under in-plane optical excitation in GaAs quantum wells},
author = {S. Pfalz and R. Winkler and N. Ubbelohde and D. Hägele and M. Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2040},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 4 figures, final version