GaAs 量子阱中光学定向的电子自旋
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们对GaAs/AlAs量子阱中电子自旋的光学定向进行了详尽的实验和理论分析。通过时间和偏振分辨的光致发光激发光谱，我们测量了作为激发能函数序列的量子阱（宽度范围从63 埃到198 埃）中初始电子自旋极化程度。实验结果与完全考虑电子-空穴库仑关联和重空穴轻空穴耦合的精确理论进行了比较。我们发现，在宽量子阱中，测得的luminescence初始自旋极化程度与作为能量函数计算的光激发电子自旋极化程度密切匹配。这意味着，当电子从光激发的高能态 relax 到其动量的准热平衡时，电子自旋的定向基本保持不变。由于初始自旋relax，窄量子阱中的测得极化被一个不依赖于激发能的常数因子所减少。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412012,
title = {Optical orientation of electron spins in GaAs quantum wells},
author = {S. Pfalz and R. Winkler and T. Nowitzki and D. Reuter and A. D. Wieck and D. Haegele and M. Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412012},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 9 figures