含铁磁障层的 III-V 量子阱中可调的自旋极化
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们展示了光学质量的电气阱控 III-V 型铁磁量子结构的生长。光致发光光谱显示，初始无偏振的光激发空穴在 GaAs 量子阱中会变为与相邻数字型铁磁层（位于 AlGaAs 障层中）磁化方向相反的自旋极化。施加垂直偏压可在 T=5 K 且 B=1 kG 时将自旋极化调节至 -0.4% 到 6.3% 之间，期间发光被抑制，表明该极化是通过量子阱中重空穴与障层中 Mn 离子波函数重叠所致。该极化现象在电流极小的情况下观察到，且对载流子初始自旋取向不敏感，区别于电气和光学自旋注入效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312240,
title = {Tunable spin polarization in III-V quantum wells with a ferromagnetic barrier},
author = {R. C. Myers and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312240},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 1 table, 3 figures (color)