n-GaAs 中由铁磁近邻极化产生的自发自旋相干性
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
我们发现，n-GaAs 薄膜中的光激发电子因与铁磁金属的近邻作用而快速(<50 ps)自旋偏极化。MnAs/GaAs 和 Fe/GaAs 结构的比较表明，这种相干自旋偏极化分别与它们的磁化方向呈反向和正向。此外，GaAs 的核自旋也被动态偏极化，其符号由自发的电子自旋方向决定。在 Fe/GaAs 中，核超精细相互作用与应用磁场之间的竞争导致电子自旋预cession 完全被消除。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201350,
title = {Spontaneous Spin Coherence in n-GaAs Produced by Ferromagnetic Proximity Polarization},
author = {R. J. Epstein and I. Malajovich and R. K. Kawakami and Y. Chye and M. Hanson and P. M. Petroff and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201350},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures, in press, Phys. Rev. B Rapid Communications (2002)