p型GaAs中光电子漂移期间自旋进动的发光成像
介观与纳米尺度物理
2017-04-26 v1
摘要
利用微加工制作的p型GaAs霍尔条，展示了在50 K下，通过共面施加电场和磁场，可以观察到由于漂移的自旋极化光电子进动而导致的光致发光圆偏振度的空间振荡。作为电场E的函数对这些振荡的观测，直接测量了少数载流子漂移迁移率，并揭示出在E = 800 V/cm时，自旋相干性在长达25 μm的长度上得以保持。
引用
@article{arxiv.1611.07340,
title = {Luminescence imaging of photoelectron spin precession during drift in p-type GaAs},
author = {V. Notot and D. Paget and A. C. H. Rowe and L. Martinelli and F. Cadiz and S. Arscott},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.07340},
year = {2017}
}