穿过350微米厚硅晶片的相干自旋输运
材料科学
2009-11-13 v3 其他凝聚态物理
摘要
我们使用全电学方法，垂直穿过350微米厚的未掺杂单晶硅晶片注入、输运和检测自旋极化电子。在不同加速电场下垂直磁场中的自旋进动测量揭示了高度的自旋相干性，进动角至少达到13pi。进动极值的磁场间距被用于确定从注入端到探测端的电子渡越时间。这些渡越时间值与输出磁电流变化（来自面内自旋阀测量）相关联，该变化与最终的自旋极化率成正比。将结果拟合到简单的指数自旋衰减模型，得出在60K下硅中传导电子自旋寿命（T1）的下限超过500ns。
引用
@article{arxiv.0706.0866,
title = {Coherent spin transport through a 350-micron-thick Silicon wafer},
author = {Biqin Huang and Douwe J. Monsma and Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.0866},
year = {2009}
}
备注
Accepted in PRL