氧化锌中的自旋输运与自旋退相干
材料科学
2012-08-28 v3 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
宽禁带半导体 ZnO 因其自旋轨道耦合小、意味着自旋相干长度大,而在自旋电子学应用中备受关注。利用具有铁磁电极的垂直自旋阀器件(TiN/Co/ZnO/Ni/Au),我们在全电学实验中研究了跨越 ZnO 的自旋极化输运。测得的磁阻与具有自旋相关界面电阻的双自旋通道模型的预测高度吻合。拟合数据得到 ZnO 中的自旋扩散长度分别为 10.8nm (2K)、10.7nm (10K) 和 6.2nm (200K),对应自旋寿命分别为 2.6ns (2K)、2.0ns (10K) 和 31ps (200K)。
引用
@article{arxiv.1205.3666,
title = {Spin transport and spin dephasing in zinc oxide},
author = {Matthias Althammer and Eva-Maria Karrer-Müller and Sebastian T. B. Goennenwein and Matthias Opel and Rudolf Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.3666},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 5 figures; supplemental material added