ZnO 中施主束缚电子的自旋噪声谱
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
我们通过光学自旋噪声谱技术研究了体相 ZnO 中束缚于 Al 杂质的电子的内禀自旋动力学。自旋噪声谱使我们能够在单个谱中研究相对于核磁场和外加磁场的纵向及横向自旋弛豫时间。一方面，自旋动力学由与天然存在的 Zn 同位素核自旋的内禀超精细相互作用主导。我们测得的典型自旋退相干时间为 23 ns，与预期理论值一致。另一方面，我们测得了第三个非常高的自旋退相干速率，这归因于所研究 ZnO 材料的高缺陷密度。在横向及纵向外加磁场影响下对自旋动力学的测量，明确揭示了电子自旋与其核及结构环境之间引人入胜的联系。
引用
@article{arxiv.1209.5667,
title = {Spin noise spectroscopy of donor bound electrons in ZnO},
author = {H. Horn and A. Balocchi and X. Marie and A. Bakin and A. Waag and M. Oestreich and J. Hübner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5667},
year = {2015}
}