GaAs 中电子与核自旋噪声的相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1
摘要
我们展示了在超纯 GaAs:Si 中施主束缚电子系综上进行的自旋噪声(SN)测量，其时间动力学跨越从毫秒到纳秒的六个数量级。在施主束缚激子跃迁处检测到的 SN 谱显示了典型 III-V 族半导体系统中普遍存在的电子与核自旋相互作用的复杂动力学机制。实验明显揭示了零外磁场下电子自旋进动的有限 Overhauser 位移，以及源于平行于核自旋涨落的电子自旋分量、围绕零频率的第二贡献。此外，在极低频率下，与含时核自旋涨落相关的特征被清晰分辨，使得研究零磁场和低磁场下复杂的核自旋动力学成为可能。这些发现与所建立的电子和核自旋噪声模型一致。
引用
@article{arxiv.1506.05370,
title = {Interplay of Electron and Nuclear Spin Noise in GaAs},
author = {Fabian Berski and Jens Hübner and Michael Oestreich and Arne Ludwig and A. D. Wieck and Mikhail Glazov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05370},
year = {2015}
}