利用单量子点纳米探针测量 GaAs/AlGaAs 界面处核自旋扩散的抑制
量子物理
2011-01-04 v1
摘要
通过探测光致发光（PL）谱中 Overhauser 位移的时间依赖性，测量了光泵浦单个 GaAs/AlGaAs 界面量子点中的核自旋极化动力学。发现了约 1 分钟的长核极化衰减时间，表明在外加磁场下，从 GaAs 量子点到周围 AlGaAs 基质的核自旋扩散效率低下。推导出的自旋扩散系数比先前在块体 GaAs 中发现的低两个数量级。
引用
@article{arxiv.0901.2281,
title = {Suppression of nuclear spin diffusion at a GaAs/AlGaAs interface measured with a single quantum dot nano-probe},
author = {A. E. Nikolaenko and E. A. Chekhovich and M. N. Makhonin and I. W. Drouzas and A. B. Vankov and J. Skiba-Szymanska and M. S. Skolnick and P. Senellart and A. Lemaitre and A. I. Tartakovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2281},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures, submitted to Phys Rev B