n-GaAs 中的核自旋弛豫：从绝缘态到金属态
介观与纳米尺度物理
2017-03-29 v2 其他凝聚态物理
摘要
研究了具有不同电子密度的 n-GaAs 厚层和微腔样品中的核自旋弛豫。我们揭示出，在电子自由且可移动的金属样品中，以及在电子局域化的绝缘样品中，核自旋弛豫在低磁场下均显著增强。该效应的起源可能在于核与涨落电子电荷之间的四极相互作用，该机制曾被提出用于驱动绝缘样品在低磁场下的核自旋动力学。这些磁场的特征值由体样品中核间的偶极-偶极相互作用给出，并在微腔中大大增强，这可能是由于微纳结构固有的额外应变所致。
引用
@article{arxiv.1612.01699,
title = {Nuclear spin relaxation in n-GaAs: from insulating to metallic regime},
author = {M. Vladimirova and S. Cronenberger and D. Scalbert and M. Kotur and R. I. Dzhioev and I. I. Ryzhov and G. G. Kozlov and V. S. Zapasskii and A. Lemaître and K. V. Kavokin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.01699},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 4 figures