n-GaAs中光学探测的纵向与横向自旋动力学所揭示的电子电荷与自旋离域
介观与纳米尺度物理
2017-12-11 v1
摘要
利用最近发展的扩展泵浦-探测Kerr/Faraday旋转光谱，研究了n型GaAs中由于载流子离域引起的电子自旋动力学演化。我们发现，局域在施主上的孤立电子在磁场中表现出纵向与横向自旋弛豫速率的显著差异，而这一差异在金属相中几乎消失。自旋系综的非均匀横向退相干时间由于运动变窄而随电子离域显著增大，这可通过提高施主浓度或温度来诱导。发现了与纵向自旋弛豫时间之间一种出乎意料的关系，即二者乘积近似为常数，这可由磁场对自旋扩散的影响来解释。我们观察到两阶段纵向自旋弛豫，表明在交换耦合的施主束缚电子系统中建立了自旋温度。
引用
@article{arxiv.1712.02998,
title = {Electron charge and spin delocalization revealed in the optically probed longitudinal and transverse spin dynamics in $n$-GaAs},
author = {V. V. Belykh and K. V. Kavokin and D. R. Yakovlev and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.02998},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures