室温下 Ga 掺杂晶体中长寿命电子自旋相干性
化学物理
2021-05-05 v1 光学
摘要
利用时间分辨法拉第和克尔旋转光谱研究了 Ga 掺杂 ZnO 单晶中的电子自旋动力学。发现了具有两个退相位过程的长寿命自旋相干性，其特征时间在室温下长达 5.2 ns。通过激光波长和温度的依赖测量，将室温长寿命自旋信号归因于定域电子。自旋退相位（弛豫）过程与横向（纵向）磁场无关，表明自旋退相位并非源于 g 因子不均匀性和电子-核超精细相互作用。这揭示两个自旋退相位过程起源于两类定域电子，二者均由相邻定域电子间各向异性的交换 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用主导。
引用
@article{arxiv.2103.01673,
title = {Long-lived electron spin coherence in Ga-doped crystals at room temperature},
author = {Zhen Wu and Meizhen Jiang and Jiaxing Guo and Qing Yang and Yuanyuan Zhang and Tianqing Jia and Zhenrong Sun and Donghai Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.01673},
year = {2021}
}