n型GaAs体材料中漂移电子自旋退极化的温度依赖性
统计力学
2011-12-20 v2 其他凝聚态物理
摘要
研究了温度和输运条件对轻掺杂n型GaAs半导体中电子自旋弛豫的影响。采用蒙特卡罗方法模拟电子输运，包括自旋极化和弛豫的演化，同时考虑了介质中热电子的谷内和谷间散射现象。通过D'yakonov-Perel过程计算自旋弛豫长度和时间，该过程是所关注温度范围（10 < T < 300 K）内最相关的自旋弛豫机制。计算了在0.1 - 2 kV/cm静电场作用下，传导电子初始自旋极化随距离的衰减。我们发现电子自旋退极化长度和时间对晶格温度和电场幅度均呈现非单调依赖关系。
引用
@article{arxiv.1003.2163,
title = {Temperature dependence of spin depolarization of drifting electrons in n-type GaAs bulks},
author = {Stefano Spezia and Dominique Persano Adorno and Nicola Pizzolato and Bernardo Spagnolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2163},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 6 figures