GaAs/AlGaAs量子阱中自旋弛豫的温度和电子密度依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
利用时间分辨Kerr旋转技术研究了具有不同结构对称性的GaAs/AlGaAs量子阱的温度和载流子密度依赖的自旋动力学。测量发现，对称设计的GaAs量子阱的自旋弛豫时间远长于非对称量子阱，表明Rashba自旋-轨道耦合对自旋弛豫有强烈影响。揭示了D'yakonov-Perel'机制是GaAs/AlGaAs量子阱中自旋弛豫的主要贡献。自旋弛豫时间在温度和光激发载流子密度上都表现出非单调依赖行为，揭示了电子-电子库仑散射的非单调温度和密度依赖性的重要作用。我们的实验观察与最近基于微观动力学自旋Bloch方程方法发展的自旋弛豫理论吻合良好。
引用
@article{arxiv.1010.6144,
title = {Temperature and Electron Density Dependence of Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Well},
author = {L. F. Han and Y. G. Zhu and X. H. Zhang and P. H. Tan and H. Q. Ni and Z. C. Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.6144},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 4 figures