n型半导体量子阱中自旋脉冲的扩散与输运
材料科学
2007-05-23 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们在 n 型 GaAs (001) 量子阱中进行理论研究，考虑有无外部电场在高温下的自旋脉冲的时间演化。通过构建并数值求解动力学自旋 Bloch 方程和泊松方程，显式包含电子-声子、电子-杂质和电子-电子库仑散射。详细考察了库仑散射，特别是库仑 drag 对自旋扩散/输运的影响，结果表明在无外加磁场时，自旋振荡和自旋极化方向沿着自旋扩散方向发生反转，这一现象原本在无库仑散射时被 Weng 和 Wu [J. Appl. Phys. {\bf 93}, 410 (2003)] 预测，可在高温 ( K) 下通过库仑散射维持。所得结果与 Crooker 和 Smith 在低温 (4 K) 下对 bulk GaAs 中的实验 [Phys. Rev. Lett. {\bf 94}, 236601 (2005)] 一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503356,
title = {Diffusion and transport of spin pulses in an $n$-type semiconductor quantum well},
author = {L. Jiang and M. Q. Weng and M. W. Wu and J. L. Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503356},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures in eps format, to be published in J. Appl. Phys