在具有交换分裂能级的量子阱上电子电流的自旋极化
介观与纳米尺度物理
2014-06-20 v1
摘要
本文研究了铁磁金属/绝缘体/半导体异质结构中量子阱（QW）交换分裂能级上注入电子的背散射过程。研究发现，如果其中一个交换分裂能级位于量子阱的顶部区域，且注入电子的能量接近该能级上局域电子的能量，则背散射变得依赖于注入电子的自旋。量子阱中背散射电子的积累导致电流显著减小，且减小程度取决于其自旋取向。自旋极化随外加电场的增强和电子在量子阱中存储时间的增加而增大。在室温下可以实现高自旋极化值。因此，铁磁金属/绝缘体/半导体异质结构中具有交换分裂能级的量子阱可用作有效的自旋过滤器。
引用
@article{arxiv.1406.5081,
title = {Spin polarization of electron current on the quantum well with exchange-splitted levels},
author = {Leonid Lutsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5081},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 4 figures