在低自旋极化电流下正偏置铁磁-半导体异质结中的高极化注入发光
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们考虑从非铁磁 n 型半导体(n-S)通过非常薄的正偏置 Schottky 势垒隧穿进入铁磁体(FM)，导致在 FM-S 界面附近薄 n-S 层中高效提取电子自旋，在电流的自旋极化程度较低时。我们表明，这一效应可用于在其中自旋极化电子从 n-S 中注入并在量子阱中与空穴复合的异质结构中，实现高效的极化辐射源。辐射极化取决于施加给 FM-S 异质结的偏压电压。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407492,
title = {Highly polarized injection luminescence in forward-biased ferromagnetic-semiconductor junctions at low spin polarization of current},
author = {A. M. Bratkovsky and V. V. Osipov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407492},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures